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我國(guó)首款自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)相變存儲(chǔ)器芯片研制成功


時(shí)間:2011-04-27





日前,我國(guó)第1款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的相變存儲(chǔ)器芯片研制成功,打破了存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期被國(guó)外壟斷的局面,產(chǎn)業(yè)化前景可觀。

據(jù)介紹,相比于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器利用電荷形式進(jìn)行存儲(chǔ),相變存儲(chǔ)器主要利用可逆相變材料晶態(tài)和非晶態(tài)的導(dǎo)電性差異實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ),被稱為是“操縱原子排列而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)”的新型存儲(chǔ)器。

相關(guān)專家表示,我國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模目前已接近1800億元,但由于長(zhǎng)期缺乏擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的制造技術(shù),國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器生產(chǎn)成本極為高昂。上述相變存儲(chǔ)器自主研制成功,使我國(guó)的存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)有望真正擺脫國(guó)外的技術(shù)壟斷。



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