SEMI發(fā)布預(yù)測報(bào)告,2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將下降14%,約為530億美元,預(yù)計(jì)2020年會(huì)出現(xiàn)27%的復(fù)蘇。在存儲(chǔ)器行業(yè)放緩的影響下,晶圓廠設(shè)備支出連續(xù)三年持續(xù)增長的態(tài)勢告一段落。不過,中國市場的設(shè)備投資仍然保持增長動(dòng)能,2019年有望成為繼韓國之后的第二大半導(dǎo)體設(shè)備市場。
兩大因素導(dǎo)致2019年資本支出下滑14%
全球半導(dǎo)體設(shè)備市場動(dòng)向反映了主要廠商的投資狀況,如果景氣向好,廠商積極投資,設(shè)備市場也會(huì)同步增長;反之,如果景氣不佳,廠商投資意愿也會(huì)轉(zhuǎn)趨保守,使得設(shè)備市場規(guī)模縮減。
晶圓廠設(shè)備支出下降的主要原因是受到存儲(chǔ)器市場需求疲弱以及晶圓代工廠放緩資本支出兩大因素影響。根據(jù)SEMI報(bào)告的分析,在過去兩年中,存儲(chǔ)器行業(yè)的投資占所有設(shè)備支出的55%,存儲(chǔ)器市場的任何波動(dòng)都會(huì)影響整體設(shè)備市場。而對(duì)半年來晶圓廠設(shè)備支出的回顧表明,高水平庫存和需求疲軟導(dǎo)致2018年下半年DRAM和NAND兩大存儲(chǔ)器價(jià)格的下跌,且跌幅大于預(yù)期。這是直接導(dǎo)致存儲(chǔ)器廠商支出下降的主要原因。根據(jù)此前媒體的報(bào)道,最大的存儲(chǔ)器廠商三星電子為了阻止存儲(chǔ)器價(jià)格下滑,2019年的整體資本支出將下滑8%,其中在DRAM上的投資大砍20%。而根據(jù)SEMI的預(yù)測,存儲(chǔ)器廠商整體支出將下降36%。
晶圓代工廠是半導(dǎo)體設(shè)備支出的第二大影響因素。在過去兩年中,每年晶圓代工廠設(shè)備訂單占整體市場份額在25%到30%之間。SEMI預(yù)計(jì),在2019年和2020年晶圓代工廠訂單的年度份額將穩(wěn)定在30%左右。雖然晶圓代工廠在設(shè)備支出方面通常波動(dòng)小于存儲(chǔ)廠商,但是此次依然受到市場變化的影響。2018年下半年晶圓代工廠的設(shè)備支出下降了13%。
中國市場繼續(xù)保持增長動(dòng)能
盡管全球設(shè)備支出下降,但是來自中國市場的設(shè)備投資卻保持增長動(dòng)能,這也使得未來中國市場的重要性進(jìn)一步提高。根據(jù)IC Insights的報(bào)告,2019年全球?qū)⒂?座新的12英寸晶圓廠開業(yè),其中有5座來自中國。2018年全年一共新開了7家12英寸晶圓廠,而今年又將新增9家12英寸廠,這是繼2007年以來一年內(nèi)最多的一次。SEMI在報(bào)告中也指出,2018年中國在晶圓廠方面的投資激增,成為全球第二大設(shè)備市場,僅次于韓國。
盤點(diǎn)近年來國內(nèi)投資建設(shè)的晶圓廠情況,根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì),2018年度宣布投產(chǎn)的晶圓廠達(dá)到10家;2018年度前已經(jīng)投產(chǎn),但2018年開始新產(chǎn)能建設(shè)的有4家;2018年度正在建設(shè)的全新晶圓生線21條:2018年度規(guī)劃建的有2家。中國在晶圓廠建設(shè)上的投資領(lǐng)先全球。
其中較具代表性的上海華力二期項(xiàng)目于2016年12月30日開工建設(shè),2018年10月18日生產(chǎn)線正式投片,首批12英寸硅片進(jìn)入設(shè)備,開始28納米工藝芯片制造。長江存儲(chǔ)2016年7月26日成立,2016年12月30日國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式開工建設(shè),2018年第四季度長江存儲(chǔ)一期工程正式投產(chǎn),32層3D NAND閃存芯片成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2018年第三季度中芯寧波8英寸特種工藝N1產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠,2018年11月2日正式投產(chǎn)。同日,N2產(chǎn)線開工建設(shè)。
國際廠商在中國大陸進(jìn)行了大量晶圓廠的布局建設(shè),也是中國設(shè)備需求增長的重要原因。盤點(diǎn)重點(diǎn)項(xiàng)目包括:2016年3月臺(tái)積電南京項(xiàng)目正式落戶,2016年7月項(xiàng)目一期開工建設(shè),2018年5月晶圓廠開始試投產(chǎn)。2018年第二季度,英特爾宣布大連廠二期投產(chǎn),主要生產(chǎn)96層的3D NAND閃存。2018年3月三星宣布在西安舉行第二條NAND閃存芯片生產(chǎn)線的奠基儀式,2019年投產(chǎn)。2017年10月29日,SK海力士計(jì)劃在無錫興建新廠,項(xiàng)目完成后將形成月產(chǎn)能20萬片10納米工藝等級(jí)的晶圓生產(chǎn)線。
上海華虹(集團(tuán))有限公司董事長張素心在SEMICON China2019的開幕主題演講中指出,中國集成電路企業(yè)是全球材料設(shè)備企業(yè)的重要合作伙伴。中國是全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備市場,2018年達(dá)到118億美元,預(yù)測2019年將成為全球第一大市場,同時(shí)也是主要設(shè)備廠商最重要的市場。
KLA-Tencor高級(jí)副總裁兼首席營銷官Oreste Donzella表示,盡管業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為2019年半導(dǎo)體設(shè)備市場增長平緩,但中國的晶圓廠設(shè)備市場增長卻相對(duì)較快。
中國設(shè)備業(yè)應(yīng)抓住難得的市場機(jī)遇
盡管中國半導(dǎo)體以及相關(guān)設(shè)備市場持續(xù)擴(kuò)大,但是裝備制造業(yè)一直是中國半導(dǎo)體的薄弱環(huán)節(jié)。上述半導(dǎo)體設(shè)備也大多需要從國際設(shè)備廠采購。據(jù)美國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查公司VLSI Research發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備廠商排名,前十廠商美國4家,日本5家,歐州1家。中國供應(yīng)商還無法滿足國內(nèi)晶圓廠的需求。
不過,經(jīng)過這些年的發(fā)展,國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)已呈現(xiàn)出較快增長的勢頭。北方華創(chuàng)通過近九年的科技攻關(guān),完成了刻蝕機(jī)、磁控濺射、氧化爐、低壓化學(xué)氣相沉積、清洗機(jī)、原子層沉積等集成電路設(shè)備90/55/40/28納米工藝驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。中微半導(dǎo)體先后承擔(dān)并圓滿完成65~45納米、32~22納米、22~14納米等三項(xiàng)等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的集成電路專項(xiàng)任務(wù),使我國在該項(xiàng)設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進(jìn)水平同步。
在市場需求快速增長的背景下,中國設(shè)備企業(yè)也應(yīng)抓住機(jī)遇,趕上這班高速增長的"列車"。中科院微電子所所長葉甜春指出,要想做強(qiáng)中國集成電路產(chǎn)業(yè)特別是裝備制造業(yè),幾個(gè)問題亟待解決:一是產(chǎn)業(yè)模式單一,需要在無晶圓設(shè)計(jì)和芯片代工制造基礎(chǔ)上,根據(jù)產(chǎn)品特點(diǎn)發(fā)展多元的模式,尤其是IDM。二是裝備和材料還要加強(qiáng),現(xiàn)在28納米以上的產(chǎn)品工藝和特色工藝種類覆蓋仍然不夠。三是協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)需要盡快形成,"系統(tǒng)-芯片-工藝-裝備-材料"緊密協(xié)同對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。四是改變產(chǎn)業(yè)布局的無序競爭、碎片化與同質(zhì)化傾向。(記者 陳炳欣)
轉(zhuǎn)自:中國電子報(bào)
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